教員紹介

林 真一郎 准教授
博士(工学)（東京都立大学）

プロフィール

林真一郎

略歴
2016年3月 首都大学東京（現：東京都立大学）博士前期課程 修了
2016年4月 三菱電機株式会社 伊丹製作所
2019年4月 東京都立大学 博士後期課程（2022年3月 博士（工学）取得）
2022年4月 現職
自己紹介

富山県出身。小さい頃からモノ作りに興味があり，壊れた電化製品を分解して遊んでいました。そんな経験から興味を持った電気電子工学を今では研究しています。

大学院修了後に企業で鉄道車両用電機品の設計に従事していた経験がありますので，勉強だけでなく就職に関する学生の相談に乗れると思います。

趣味・特技
モータースポーツ観戦とドライブ
※最近は子育て奮闘中
受験生の皆さんへ
大学では，これまで以上に「主体的に行動する」ことが大切になります。皆さんが志望大学や学科を選択することはその第一歩になると思います。自分自身を見つめ，時には周囲の意見を参考にしながら主体的に行動しましょう。

専門

  • パワーエレクトロニクス
  • パワー半導体デバイス
  • 信頼性工学

キーワード

  • 持続型社会
  • 次世代半導体素子
  • 状態監視技術

研究内容

電気エネルギーを効率よく使用する技術である「パワーエレクトロニクス」を研究しています。パワーエレクトロニクス技術は，電源供給やモータを回すために必要な電力変換回路として，スマートフォンの充電器やハイブリッド自動車のボンネット内，鉄道車両の床下などに搭載されており，目立たないところで私たちの生活を支えています。そんな「縁の下の力持ち」とも言える電力変換回路が故障してしまうと，生活に大きな支障をきたしてしまいます。

図１　鉄道車両の床下に搭載された電力変換回路
図１　鉄道車両の床下に搭載された電力変換回路

本研究室では，電力変換回路が故障することを事前に検出する技術や，求められる寿命に適した製品設計ができる技術の確立を目指しています。これらの研究成果によりパワーエレクトロニクス技術の応用先が拡がることで，省エネ・省資源化が実現できると考えています。

図１　電力変換回路の信頼性評価装置
図２　電力変換回路の信頼性評価装置

2024年

学術論文（査読あり）
  1. 寒河江 貴英・林 真一郎・和田 圭二：
    「ゲート駆動電圧に依存したSiC MOSFETのスイッチング損失低減効果および特性変動の実験検証」
    電気学会論文誌Ｄ，vol. 145，no. 2，9 pages，2025年.
  2. Kohei Horii, Katsuhiro Hata, Shin-Ichiro Hayashi, Keiji Wada, Ichiro Omura, and Makoto Takamiya,
    “Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs,”
    IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 40, no. 1, pp. 467-485, 2025.
  3. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Operational Verification of Gate Drive Circuit With Condition Monitoring Function for Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs,”
    IEEE Open Journal of Power Electronics, vol. 5, pp. 709-717, 2024, DOI: https://doi.org/10.1109/OJPEL.2024.3396839.
国際会議（査読あり）
  1. Keiji Wada, Takahide Sagae, and Shin-Ichiro Hayashi,
    “HReliability under High Gate-Voltage Condition on SiC MOSFET Through Repeated Overcurrent,”
    2024 IEEE 10th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2024-ECCE Asia), 2024.

2023年

国際会議（査読あり）
  1. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “High-Performance Driving of SiC MOSFETs to Implement Short-Time Operation for Inverter Circuits,”
    11th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia, 2023.

2022年

学術論文、国際会議Proc.（査読あり）
  1. 林 真一郎・和田 圭二：
    「パワーデバイスの状態監視を目的とした入力容量Cissの測定機能を有するゲート駆動回路」
    電気学会論文誌Ｄ，vol. 142，no. 6，pp. 471-479，2022年.
  2. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Gate Drive Circuit with In situ Condition Monitoring System for Detecting Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs,”
    The Applied Power Electronics Conference (APEC 2022), 2022.
  3. Ryo Shirai, Shin-Ichiro Hayashi, and Keiji Wada,
    “Accurate MOSFET Modeling Approach with Equivalent Series Resistance of Output Capacitance for Simulating Turn-Off Oscillation,”
    The Applied Power Electronics Conference (APEC 2022), 2022.
  4. Kohei Horii, Ryuzo Morikawa, Ryunosuke Katada, Katsuhiro Hata, Shin-Ichiro Hayashi, Keiji Wada, Ichiro Omura, and Makoto Takamiya,
    “Equalization of DC and Surge Components of Drain Current of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs Using Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC,”
    The Applied Power Electronics Conference (APEC 2022), 2022.

2021年

学術論文、国際会議Proc.（査読あり）
  1. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test,”
    Microelectronics Reliability, vol. 126, 114213, 6 pages, 2021.
  2. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Gate-oxide degradation characteristics of SiC MOSFETs under continuous switching conditions,”
    The 32nd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2021), vol. 126, 114213, 6 pages, 2021.

2020年

学術論文、国際会議Proc.（査読あり）
  1. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring,”
    Microelectronics Reliability, vol. 114, 113777, 6 pages, 2020.
  2. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions,”
    The 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), pp. 3525-3530, 2020.
  3. Shin-Ichiro Hayashi and Keiji Wada,
    “Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring,”
    The 31std European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2020), vol. 114, 113777, 6 pages, 2020.

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